100 Watt LED Maislampe

100 Watt LED Maislampe

Produktname: 100 Watt LED Maislampe
Produktcode: HSL-CN100W
IP-Rate: IP65
Leistung: 100 Watt
Basishalter: E40 / E39 / E26 / E27
Eingangsspannung: AC 85-265VAC 50 / 60Hz
Leistungsfaktor (PF):> 0,9
LED-Treiber: Isoliert mit Kleber geschützt
LED-Quelle: SMD5730 Epistar-Chip ODER SMD5630 Samsung-Chip
Lumen Flux: 11000LM +/- 3% ODER 14000LM +/- 3%
Lumen Effizienz: 110lm / W ODER 140lm / W
CRI (Ra):> 80Ra (Wenn nur Ra> 70, wird die Lampe heller)
Abstrahlwinkel: 360 Grad
Cover-Typ: Klar / Matt
Farbtemperatur: WW, NW, PW, CW
Materialien: Aluminiumkörper + Aluminium PCB + PC-Abdeckung + Feuerfeste PC-Unterseite

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Produkt - Details

100 Watt LED Maislampe


100 watts LED corn lamp

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Tipps:


Was sind die unterschiedlichen Anforderungen an die Chip-Technologie und die Herstellung von GaN's epitaktischen Materialien im Vergleich zu GaP, GaAs und InGaAlP?

Gewöhnliche rote und gelbe LED-Chips und rote und gelbe Vier-Yuan-Chips werden für Halbleitermaterialien wie GaP und GaAs verwendet, die als Substrat vom n-Typ verwendet werden können.

Der Nassprozess wird verwendet, um die Lithographie zu machen, und die Karbidradklinge wird verwendet, um in den Chip zu schneiden.

Blaue und grüne Chips aus GaN-Material werden für das Saphirsubstrat verwendet, da das Saphirsubstrat isolierend ist, also nicht wie eine der LED, durch den Trockenätzprozess gleichzeitig P / N auf der Epitaxieseite zwei machen muss Elektroden und durch einen Teil des Passivierungsprozesses.

Weil Saphir hart ist, ist es schwierig, einen Chip mit einer Diamantscheibe herzustellen.

Sein Prozess ist im Allgemeinen komplexer als die GaP- und GaAs-Materialien.

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